華太Huatai

華太RF產(chǎn)品線覆蓋移動(dòng)通信基站、手持通信、航空航天、工業(yè)設(shè)備與儀器等多種應(yīng)用，構(gòu)成了從低頻（30MHz）到高頻（6GHz）,從低功率（0.1W）到高功率（1000W），從低電壓（3.6V）到高電壓（50V），效率高，可靠性好的較為完整的產(chǎn)品線，可以滿足大部分雷達(dá)、通信基站、航天航空、工業(yè)設(shè)備與儀器等領(lǐng)域的應(yīng)用需要。

產(chǎn)品詳情

通信基站
華太RF LDMOS產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信基站、直放站行業(yè)領(lǐng)域，打破了國(guó)外公司功率管的壟斷地位，提升了我國(guó)通信領(lǐng)域核心產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和產(chǎn)業(yè)鏈的完整性和安全性。華太研發(fā)的GSM 900MHz 140W 產(chǎn)品、TDD-LTE 1880MHz-2025MHz 120W、700MHz-2700MHz 10W等產(chǎn)品已經(jīng)在國(guó)際一線通信設(shè)備公司量產(chǎn)，性能與國(guó)際同行相當(dāng)，實(shí)現(xiàn)了通信基站領(lǐng)域RF LDMOS的國(guó)產(chǎn)化突破。
AD9375數(shù)字預(yù)失真+華太（HTN7G21P160H）測(cè)試報(bào)告已發(fā)布在ADI官網(wǎng)，請(qǐng)點(diǎn)擊

通信基站-分立器件
Part Num.	Freq （MHz）	VDD (V)	P1dB (dBm)	Gain (dB)	Pavg (dBm)	Test Freq (MHz)	目標(biāo)應(yīng)用	Package	Process
HTA50P3	1800-5000	5	24	29	14	2600	寬帶驅(qū)動(dòng),5G微站，天線系統(tǒng)	QFN3×3	GaAs
HTN8G38S004P	700-3800	28	36	19	25	2600	便攜設(shè)備，5G微站	DFN3×3	LDMOS
HTN7G38S007P	700-3800	28	38	14.2	28	3400	便攜設(shè)備，5G微站	PDFN5×5	LDMOS
HTN8G27S015P	700-2700	28	41	20	30	2600	便攜設(shè)備，5G微站	DFN5×5	LDMOS
HTN8G36S015P	3300-4200	28	41	17	30	3500	便攜設(shè)備，5G微站	DFN5×5	LDMOS
HTN8G27S010P	700-2700	28	40	18	29	2140	MDAS，直放站驅(qū)動(dòng)	PDFN6×5	LDMOS
HTN8G27S020PG	700-2700	28	44	19	34	2140	MDAS，5G驅(qū)動(dòng)	TO270	LDMOS
HTN7G21S040PG	700-2100	28	46	16.1	36	1840	直放站28V/北斗12V	TO270	LDMOS
HTN8G27P040P	2500-2700	28	46	20	37	2600	64T MIMO，5G驅(qū)動(dòng)	DFN7.5×5	LDMOS
HTN7G09S060P	700~960	28	49	21.8	39	940	GSM干放，專網(wǎng)	TO270	LDMOS
HTN7G09S120P	700~960	28	50	22.1	40.5	881	電子圍欄，直放站	TO270	LDMOS
HTH1D27P110H	2500-2700	48	50.8(P5)	16	41.4	2600	32T MIMO，驅(qū)動(dòng)	DFN7×6.5	GaN
HTH1D36P120H	3400-3600	48	51(P3)	14	41.4	3500	32T MIMO，驅(qū)動(dòng)	DFN7×6.5	GaN
HTH8G09P350H	700-821	48	55.7(P3)	22	47.3	778	30W/40W基站	H2110S-4L	LDMOS
HTH9G09P550S	700-960	48	57.4(P5)	20	49.5	942	60W基站	ACS2110S-4L	LDMOS
HTH1D27P550S	2500-2700	48	57.2(P5)	15	47.4	2600	30W/40W基站	ACC2110S-4L	GaN
HTH1D36P450H	3400-3600	48	56.2(P5)	14	47.4	3500	30W/40W基站	ACC2110S-4L	GaN
HTH1D09P700S	758-960	48	58.6(P5)	19	50.5	803	80W基站	ACS2110S-4L	GaN
HTH1D22P360S	1805-2170	48	56.1(P5)	16	48	1840	40/60W基站	H2110S-4L	LDMOS
HTN7G21P160H	1805~2170	28	52	16.7	44.8	1960	電子圍欄，光纖直放站	H2110S-6L	LDMOS

5G小基站-MMIC
Part Num.	Freq （MHz）	VDD (V)	Gain (min) dB	Pavg (dBm)	P-3(min) dBm	Eff(typical)	目標(biāo)應(yīng)用	Package	Process
H8G0708M06P	728-821	28	19	28	37.3	45	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H8G0810M06P	869-960	28	19	28	37.3	45	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H8G1819M10P	1805-1880	28	27	31	40.5	43	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H8G2022M10P	2110-2170	28	27	31	40.5	43	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H8G2324M10P	2300-2400	28	27	31	40	41	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H8G2527M10P	2500-2700	28	27	31	40	39	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H8G3336M12P	3300-3600	28	33	32	41.5	33	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H8G3540M12P	3600-3800	28	33	32	41	32	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H9G4750M12P	4700-5000	28	30	32	41	28	寬帶驅(qū)動(dòng),5G小基站	LGA7×7	LDMOS
H9G1822M60P	1805-2170	28	28.2	35	48	29	寬帶驅(qū)動(dòng)，mMIMO	OMP400-8	LDMOS
H8G1822M100P	1805-2170	28	26.2	38	49.7	25	寬帶驅(qū)動(dòng)，mMIMO	OMP780-16	LDMOS

移動(dòng)無線電
Part Num.	Min. Freq （MHz）	Max. Freq （MHz）	VDD (V)	Eff(typical)	Gain (dB)	Psat （W）	目標(biāo)應(yīng)用	Package	Process
HTU7G06S0P5P	100	1000	3.6/7.2	70/73	10/14	0.7/1.5	0.5W機(jī)，5W/10W機(jī)推動(dòng)	SOT89	LDMOS
HTU7G06S0P6P	100	1000	3.6/7.2	67/67	10/14	0.7/1.5	2W/5W機(jī)推動(dòng)	SOT23	LDMOS
HTU7G06S002P	100	1000	3.6	61	14	2.6	2W機(jī)	SOT89	LDMOS
HTU7G06S004P	100	1000	3.6	60	12	4	3W機(jī)	PDFN3×3	LDMOS
HTU7G06S005P	100	1000	3.6	65	11	5	3W機(jī)	PDFN5×5	LDMOS
HTL7G06S006P	100	1000	7.2	61	13	6	5W機(jī)	SOT89	LDMOS
HTU7G06S007P	100	1000	3.6	65	10	7	單電池5W機(jī)	PDFN5×5	LDMOS
HTL7G06S009P	100	1000	7.2/8.4	60	12	8/9	7W模擬機(jī)，4W數(shù)字機(jī)	SOT89	LDMOS
HTL7G06S011P	100	1000	3.6/7.2	60/60	10/12	5/11	單電池3W/雙電池10W機(jī)	PDFN5×5	LDMOS
HTM7G06S035P	100	1000	12.5/24	61	15/20	38/100	車臺(tái)，軍工電臺(tái)，應(yīng)急廣播	TO-270	LDMOS

ISM&工業(yè)醫(yī)療
產(chǎn)品型號(hào)	工作頻率 (MHz)	工作電壓 (V)	Psat （W）	DE （%）	Gain (dB)	Test Freq (MHz)	目標(biāo)應(yīng)用	Package	Process
HT647P	600-1600	28	200	59	19.7	CW@1350	寬帶專網(wǎng)，軍用	ACC2110S-4L	LDMOS
HT647PL	30-512	28	200	67.9	23.3	CW@450	寬帶專網(wǎng)，軍用	ACC2110S-4L	LDMOS
HTH7G14S150H(B)	1.8-1400	50	158	56	21.5	Pulse@860	廣播，直放站	H0906	LDMOS
HTH7G06P300H(B)	1.8-600	50	430	64	20.8	Pulse@435	廣播，雷達(dá)，通信	ACC2110S-4L	LDMOS
HTH8G07P400H(B)	100-700	50	400	60	20	Pulse@600	寬帶專網(wǎng)，廣播，雷達(dá)	ACC2110S-4L	LDMOS
HTH7G14S030H(B)	1.8-1400	50	30	61	18	Pulse@1200	寬帶專網(wǎng)，廣播，雷達(dá)	H0906	LDMOS
HTH7G06P500H(B)	1.8-600	50	550	60	24.6	Pulse@435	廣播，雷達(dá)，通信	ACC2110S-4L	LDMOS
HTH8G07P600H(B)	470-700	50	600	63	22	Pulse@600	工業(yè)，醫(yī)療，雷達(dá)	ACC2110S-4L	LDMOS
HTH8G07P1K0H(B)	470-700	50	1000	60	16.5	Pulse@600	DVB-T，廣播	ACC3210S-4L	LDMOS
HTH8G07P1K4H(B)	1.8-200	50	1400	70	27	CW@60	DVB-T，廣播	ACC3210S-4L	LDMOS
HTH8G02P350H(B)	1.8-200	50	350	70	25	CW@160	寬帶專網(wǎng)，廣播	ACS2110B-4L	LDMOS
HTH8G02P550H(B)	1.8-200	50	550	70	25	Pulse@100	寬帶專網(wǎng)，廣播，工業(yè)醫(yī)療	ACS2110B-4L	LDMOS

射頻能量
產(chǎn)品型號(hào)	工作頻率 (MHz)	工作電壓 (V)	P-1dB （W）	DE （%）	Gain (dB)	Test Freq (MHz)	目標(biāo)應(yīng)用	Package	Process
HT20340S	10-200	50	400	72	25	CW@ 40	射頻能量，工業(yè)	TO247	LDMOS
HTH9G09P700H(B)	600-950	40	700	68	18	Pulse@800	射頻能量，工業(yè)	ACC3210S-4L	LDMOS

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